KDF 8671i 圆筒溅射系统

KDF900 系列“in-line”连续在线磁控溅射机

• 功能全，价格低，适用于研究开发。
• CTI-8冷凝泵和CTI 8200系列压缩机，系统基础真空可达1.0x10-7 torr。

• 三个 6” 直径的磁控阴极靶位，可实现射频/直流溅射。
• 阴极与基片间的距离可调节（1.75” - 3.25”）。
• 基片射频预清洗和预加热（最大加热温度为600度）。
• 600W （选项为1.2kW）的射频溅射电源，手动调谐。
• 2.5kW直流溅射电源。
• 手动操作双级挡板，避免溅射中的交叉污染。
• GE Fanuc Versa PLC 逻辑控制器，GE 触摸操作显示屏，系统具有自诊断测试功能。

KDF 8620i 圆筒式溅射系统

• 长方形平板式磁控阴极, 尺寸可为5”x15” 、5”x17” 和 3”x17”  特殊设计的各种嵌入式磁控阴极，实现高膜厚均匀性和高靶材有效使用率；特别是贵重金属（铂，金）的沉积，可达到60%的靶材有效使用率。
•  基片预加热功能和预清洗功能，以及可移动挡板，从而实现高质量的沉积膜。
•  CTI 冷凝泵组，确保工艺室真空，以得到高质量的沉积膜。
•  行星承载盘，使得基片具有自传和公转的功能，以提高溅射膜厚均匀性

KDF Ci Cluster 系统

• 功能全，性价比高，适用于研究开发。
• CTI-8冷凝泵和CTI 8200系列压缩机，系统基础真空可达1.0x10-7 torr。• 三/四个 8” 直径的磁控阴极靶位，可实现射频/直流溅射。
• 阴极与基片间的距离可调节（1.75” - 3.25”）。
• 基片射频预清洗和预加热（最大加热温度为600度）。
• 1200W （选项为3kW）的射频溅射电源，自动调谐网络。
• 5kW直流溅射电源。
• 计算机控制自动操作双级挡板，避免溅射中的交叉污染。
• 步进电机驱动的可旋转基片承载盘，旋转速率：0-10转/分。
• Rockwell控制系统，12” 触摸操作显示屏，系统具有自诊断测试功能。

KDF Electronic & Vacuum Services  /美国KDF公司  

KDF公司是一家磁控溅射系统的专业制造商, 独特的结构设计及特殊结构的阴极，实现高溅射膜厚均匀性和高靶材有效使用率，从研发应用到大批量生产，可沉积介质膜、金属膜等，主要用于集成电路制造、平板显示器、光刻掩膜版、通讯网络、化合物半导体器件、射频功率器件和光电子器件等。

KDF 还提供如下服务：

• 各种形状的高纯度溅射靶材和溅射靶背板。
• KDF于1997年收购了MRC设备制造公司，将继续提供MRC溅射系统的技术服务支持和备件供应。

• 预真空室具有双层基片承载盘升降机，使得装卸基片和溅射工艺同时进行，从而实现 “in-line”连续在线工作方式。
• 由上至下溅射方式，12”x12”尺寸的基片承载盘，可放置不同尺寸及形状的基片。
• 基片承载盘单次/多次扫描沉积方式，精确地控制沉积膜的厚度，不需要膜厚检测器，避免了因膜厚检测器的测量误差以及传感器的消耗，节省了运行成本。
• 生产量：9个4” 基片/次，4个6” 基片/次，1个12” 基片/次。
• 3靶位/4靶位结构的工艺室，射频/直流开关切换网络，可实现射频磁控溅射、直流磁控溅射、射频二极管溅射和反应溅射。

KDF “in-line”连续在线系统生产量：

Ci Cluster 系统是KDF经过多年的研究和测试开发出的一款多腔室系统，其提供四/八面连接口，可实现单靶溅射、三靶溅射、刻蚀等功能。

KDF600、700、800系列“in-line”连续在线磁控溅射机

未来星宇科技

FUTURE SPEEDS TECHNOLOGIES