• Oracle III 是市场上体积最小的批量生产用多腔室系统。
• 中央真空输送机构(CVT)、真空盒升降机和满足实验室用的单片装载室。
• 最多容纳四个工艺室，可有多种不同的工艺组合，如ICP/RIE刻蚀，PECVD沉   积及光刻胶的去除，以满足不同用户需要。

Trion Technology /美国TRION技术公司

始于1989年的等离子刻蚀系统和PECVD沉积系统制造商，其设备以占地面积小 ̖ 成本低而著称，且设备及工艺的稳定性和重复性久经考验，可适用于各种半导体器件的批量生产和研究开发。

Oracle III 多腔室刻蚀/沉积系统

• 用于对硅、二氧化硅、氮化硅、石英、聚酰亚胺、钽、钨、钨钛以及其他要求特征控制、高度选择性和良好一致性的材料进行蚀刻。
•  200mm下电极，系统控制器（包括奔腾™计算机和触摸屏界面，13.56 MHz 300瓦（选项600瓦）射频发生器及自动调谐，最大为四路工艺气体，自动压力控制模块等。

• 200mm 或300mm下电极结构，可放置单片或多片及碎片。
• 低频电源及匹配网络，以得到低应力沉积薄膜。
• 最大为八路工艺气体，可沉积 氧化硅，氮化硅，非晶硅及碳化硅。

•  混合频率沉积源选项，用于低应力厚膜沉积。
•  气态源沉积和液体源沉积可集成于一个系统内，以满足不同的应用需求。

• 200mm 或300mm下电极结构，可放置单片或多片及碎片。
• 预真空室基片传送系统，确保工艺的稳定性及操作安全性。
• RIE 射频电源及自动匹配网络，自动压力调节系统，计算机控制，Windows图形操作界面。
• 最大为八路工艺气体，可对使用氯基化学的材料进行刻蚀，其中包括：铝、铬、铜、金、铂、氧化铝、砷化镓、磷化铟、钛等金属和化合物材料。
•  选项包括：ICP电源，基片背面氦气冷却系统及终点检测系统等。

• 片盒式自动送片系统，可处理100mm – 300mm圆片。
• ICP/微波电源和射频偏压电源及自动调谐器，可在低温下将难于消除的光刻胶去除，且对基片等离子损伤低。
• 采用SST- Lightning 微波源，提高了使用可靠性。
• 去胶速率最大为6微米/分，生产量大
• 占地面积小，高性能价格比

Apollo III ICP/微波低损伤光刻胶去除/灰化系统

FUTURE SPEEDS TECHNOLOGIES

• 200mm 或300mm下电极结构，可放置单片或多片及碎片。
• RIE 射频电源及自动匹配网络，自动压力调节系统，计算机控制，Windows图形操作界面。
• 最大为八路工艺气体，可对使用氟基化学的材料进行刻蚀，其中包括：碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光刻胶、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、PZT 、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨等。
•  选项包括：ICP电源，预真空室，基片背面氦气冷却系统及终点检测系统等。

ApolloIII                           Gimini

未来星宇科技

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​用于刻蚀介质材料，以及使用氟基化学刻蚀的材料，占地面积小及坚固耐用的设计特点使其非常适用于实验室环境。

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