FUTURE SPEEDS TECHNOLOGIES

未来星宇科技

Sirus T2 台式RIE刻蚀机

​用于刻蚀介质材料,以及使用氟基化学刻蚀的材料,占地面积小及坚固耐用的设计特点使其非常适用于实验室环境。

ApolloIII                           Gimini

Orion III 等离子增强化学汽相沉积 (PECVD)系统

Minilock III 电感耦合等离子(ICP)/反应离子( RIE ) 氯基气体刻蚀系统

Phantom III 电感耦合等离子(ICP)/反应离子( RIE )氟基气体刻蚀系统

• 200mm 或300mm下电极结构,可放置单片或多片及碎片。
• RIE 射频电源及自动匹配网络,自动压力调节系统,计算机控制,Windows图形操作界面。
• 最大为八路工艺气体,可对使用氟基化学的材料进行刻蚀,其中包括:碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光刻胶、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、PZT 、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨等。
•  选项包括:ICP电源,预真空室,基片背面氦气冷却系统及终点检测系统等。

• Oracle III 是市场上体积最小的批量生产用多腔室系统。
• 中央真空输送机构(CVT)、真空盒升降机和满足实验室用的单片装载室。
• 最多容纳四个工艺室,可有多种不同的工艺组合,如ICP/RIE刻蚀,PECVD沉   积及光刻胶的去除,以满足不同用户需要。

Trion Technology /美国TRION技术公司

始于1989年的等离子刻蚀系统和PECVD沉积系统制造商,其设备以占地面积小 ̖ 成本低而著称,且设备及工艺的稳定性和重复性久经考验,可适用于各种半导体器件的批量生产和研究开发。

Oracle III 多腔室刻蚀/沉积系统

• 用于对硅、二氧化硅、氮化硅、石英、聚酰亚胺、钽、钨、钨钛以及其他要求特征控制、高度选择性和良好一致性的材料进行蚀刻。
•  200mm下电极,系统控制器(包括奔腾™计算机和触摸屏界面,13.56 MHz 300瓦(选项600瓦)射频发生器及自动调谐,最大为四路工艺气体,自动压力控制模块等。

• 200mm 或300mm下电极结构,可放置单片或多片及碎片。
• 低频电源及匹配网络,以得到低应力沉积薄膜。
• 最大为八路工艺气体,可沉积 氧化硅,氮化硅,非晶硅及碳化硅。

•  混合频率沉积源选项,用于低应力厚膜沉积。
•  气态源沉积和液体源沉积可集成于一个系统内,以满足不同的应用需求。


• 200mm 或300mm下电极结构,可放置单片或多片及碎片。
• 预真空室基片传送系统,确保工艺的稳定性及操作安全性。
• RIE 射频电源及自动匹配网络,自动压力调节系统,计算机控制,Windows图形操作界面。
• 最大为八路工艺气体,可对使用氯基化学的材料进行刻蚀,其中包括:铝、铬、铜、金、铂、氧化铝、砷化镓、磷化铟、钛等金属和化合物材料。
•  选项包括:ICP电源,基片背面氦气冷却系统及终点检测系统等。

• 片盒式自动送片系统,可处理100mm – 300mm圆片。
• ICP/微波电源和射频偏压电源及自动调谐器,可在低温下将难于消除的光刻胶去除,且对基片等离子损伤低。
• 采用SST- Lightning 微波源,提高了使用可靠性。
• 去胶速率最大为6微米/分,生产量大
• 占地面积小,高性能价格比

Apollo III ICP/微波低损伤光刻胶去除/灰化系统